Processus fabricationis tabellae solaris (2).

(5) Periphericum etching( solaris panel): diffusio iacuit in periphericis superficiei lagani pii per diffusionem formatus circa electrodes pilae superioris et inferioris breviabit. Diffusio peripheralium iacuit per masking humidum etching vel plasma arida engraving removebitur.

(VI) Aufer a tergo PN coniunctas(solaris panel). Infectum engraving vel stridor methodus communiter adhibita ad dorsum PN commissuram tollendam.

(VII) electrodes facere superius et inferius(solaris panel): evaporatio vacuum, nickel plating electroless aut aluminium crustulum imprimendi et sintering adhibentur. Inferior prius fit electrode, deinde superior fit electro. Aluminium crustulum excudendi methodus processus late adhibitus est.

(VIII) antireflection film faciens(solaris panel): ad inputationem reflexionis damnum reducendum, cinematographicum antireflection iacuit in superficie lagani pii. Materiae cinematographicae antireflectionis faciendae sunt MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5, etc. methodi processus methodi efficiendi vacuum esse possunt, ion modum efficiendi, methodum putris, methodum imprimendi, modum PECVD vel methodum spargendi.

(9) Sintering: chip pilae in ima lamellae nickel vel cupri impressa est.

(10) Testi classificatione: test classificationis secundum ambitum specificatorum et specificationum.